Kingston Technology es el mayor fabricante independiente de memoria del mundo y cuenta con una excelente reputación por la calidad de sus productos y sus precios competitivos. Su memoria ValueRAM constituye un estándar en el sector y le ayudará a potenciar al máximo el rendimiento y la productividad de su sistema. Además, los módulos de memoria ValueRAM de Kingston Technology están fabricados con componentes de primer nivel (Grade A) y tienen garant¡a de por vida.
CARACTERISTICAS
Memoria interna: 4 GB
Tipo de memoria interna: DDR3L
Velocidad de memoria del reloj: 1600 MHz
Componente para: Portátil
Forma de factor de memoria: 204-pin SO-DIMM
Diseño de memoria (módulos x tamaño): 1 x 4 GB
Tipo de memoria con búfer: Unregistered (unbuffered)
ECC: N
Latencia CAS: 11
Ancho de datos: 64 bit
Voltaje de memoria: 1.35,1.5 V
Configuración de módulos: 512M X 64
Tiempo de ciclo de fila: 48,125 ns
Tiempo de actualización de ciclo de fila: 260 ns
Tiempo activo en fila: 35 ns
Placa de plomo: Oro
CONDICIONES AMBIENTALES
Intervalo de temperatura operativa: 0 - 85 °C
Intervalo de temperatura de almacenaje: -55 - 100 °C
PESO Y DIMENSIONESAncho: 67,6 mm
Altura: 30 mm
OTRAS CARACTERISTICAS
Organización de los chips: X8
Velocidad del reloj de bus: 1600 MHz
Indicación de error: N
Montaje en rack: 204-pin SODIMM
Disposición de memoria: 1 x 4096 MB
Memoria interna: 4096 MB
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Kingston Technology es el mayor fabricante independiente de memoria del mundo y cuenta con una excelente reputación por la calidad de sus productos y sus precios competitivos. Su memoria ValueRAM constituye un estándar en el sector y le ayudará a potenciar al máximo el rendimiento y la productividad de su sistema. Además, los módulos de memoria ValueRAM de Kingston Technology están fabricados con componentes de primer nivel (Grade A) y tienen garant¡a de por vida.
CARACTERISTICAS
Memoria interna: 4 GB
Tipo de memoria interna: DDR3L
Velocidad de memoria del reloj: 1600 MHz
Componente para: Portátil
Forma de factor de memoria: 204-pin SO-DIMM
Diseño de memoria (módulos x tamaño): 1 x 4 GB
Tipo de memoria con búfer: Unregistered (unbuffered)
ECC: N
Latencia CAS: 11
Ancho de datos: 64 bit
Voltaje de memoria: 1.35,1.5 V
Configuración de módulos: 512M X 64
Tiempo de ciclo de fila: 48,125 ns
Tiempo de actualización de ciclo de fila: 260 ns
Tiempo activo en fila: 35 ns
Placa de plomo: Oro
CONDICIONES AMBIENTALES
Intervalo de temperatura operativa: 0 - 85 °C
Intervalo de temperatura de almacenaje: -55 - 100 °C
PESO Y DIMENSIONESAncho: 67,6 mm
Altura: 30 mm
OTRAS CARACTERISTICAS
Organización de los chips: X8
Velocidad del reloj de bus: 1600 MHz
Indicación de error: N
Montaje en rack: 204-pin SODIMM
Disposición de memoria: 1 x 4096 MB
Memoria interna: 4096 MB
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